double-diffused MOS technology

double-diffused MOS technology
1) Техника: ДМОП-технология, технология двухдиффузионных МОП-структур, технология изготовления МОП-структур методом двойной диффузии, технология изготовления МОП-структур с двойной диффузией
2) Макаров: (D-MOS technology) технология ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии, (D-MOS technology) технология МОП ИС методом двойной диффузии, (D-MOS technology) технология изготовления ИС на МОП-структурах методом двойной диффузии, (D-MOS technology) технология изготовления МОП ИС методом двойной диффузии

Универсальный англо-русский словарь. . 2011.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Смотреть что такое "double-diffused MOS technology" в других словарях:

  • Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • Technology CAD — (or Technology Computer Aided Design, or TCAD) is a branch of electronic design automation that models semiconductor fabrication and semiconductor device operation. The modeling of the fabrication is termed Process TCAD, while the modeling of the …   Wikipedia

  • MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …   Wikipedia

  • List of acronyms and initialisms: D — This list contains acronyms, initialisms, and pseudo blends that begin with the letter D. For the purposes of this list: acronym = an abbreviation pronounced as a series of constituent letters, e.g., SARS = severe acute respiratory syndrome… …   Wikipedia

  • List of acronyms and initialisms: V — This list contains acronyms, initialisms, and pseudo blends that begin with the letter V. For the purposes of this list: acronym = an abbreviation pronounced as a series of constituent letters, e.g., SARS = severe acute respiratory syndrome… …   Wikipedia

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

  • Semiconductor device modeling — creates models for the behavior of the electrical devices based on fundamental physics, such as the doping profiles of the devices. It may also include the creation of compact models (such as the well known SPICE transistor models), which try to… …   Wikipedia

  • Dual-Gate-MOSFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • FinFET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»